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中国首台纳米压印光刻机交付：打破垄断，国产芯片换道超车！
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#东风纳米06央企好车智电双优#国产半导体迎来里程碑！ 近日，杭州璞璘科技自主研发的首台半导体级步进式纳米压印光刻机PL-SR成功交付国内客户。
这台设备能实现线宽小于10nm的压印工艺，一举突破日本佳能的技术垄断，为中国芯片制造开辟出一条“非EUV”的突围之路。
“印章式”光刻：破解成本与精度难题
纳米压印技术（NIL）堪称光刻领域的“另类选手”。它不像EUV光刻机用昂贵的光源“雕刻”电路，而是像“盖印章”一样，用模板直接压印图案。
璞璘的PL-SR攻克了喷墨涂胶、非真空贴合等核心技术，让压印胶残余层厚度控制在10nm以内，深宽比达7:1，精度堪比EUV却成本大降。
佳能同类设备曾垄断全球市场，但PL-SR的线宽参数更优，且打破了对华禁运限制。
技术突破：从实验室到产线的“扫地僧逆袭”
璞璘团队仅用五年时间，就把纳米压印从实验室带进工厂。设备创新点包括：
喷墨涂胶黑科技：动态调节胶量，避免传统光刻的复杂曝光流程。
模板面型控制：解决石英模板与硅晶圆贴合难题，实现无残胶压印。
柔性适配：可快速切换模板生产不同芯片，适合功率半导体、存储芯片等场景。
团队背景更“硬核”：创始人联合纳米压印发明人Stephen Chow院士，90%员工为硕士博士，手握100多项专利。
换道超车：国产存储芯片的“雪中送炭”
当前EUV光刻机被ASML垄断且禁运，纳米压印成为国产替代的“破局利器”。长江存储等厂商急需的3D NAND芯片，其重复图形结构特别适合压印技术。
PL-SR的交付不仅填补国内设备空白，更让中国芯片在存储、硅光芯片、AR微显等领域握紧了自主权。业内预测：这或开启“农村包围城市”路线——先用压印攻克存储芯片，再用利润反哺逻辑芯片研发，最终挑战EUV霸主地位。
争议与未来：效率瓶颈vs成本优势
尽管纳米压印在逻辑芯片量产效率上仍不及EUV（需更换模板导致速度慢），但其低成本、低能耗特性，正吸引特色工艺厂商。
璞璘下一步目标是攻克对准精度＜10nm的终极关卡，若突破将颠覆现有芯片制造格局。正如团队所言：“我们印出了自己的路，下一步是跑出加速度。”
你觉得纳米压印光刻机能成为中国芯突围的关键吗？评论区聊聊：你最期待它应用在哪种芯片领域？国产设备崛起还需要哪些突破？
数据参考来源
璞璘科技官方公众号（2025-08-05）
解佩网《璞璘破冰半导体制造》（2025-08--06）
快科技《中国首台纳米压印光刻机突破10nm》（2025-08-05）
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